，形成晶格缺陷。在正常的SiC晶格中，每一個(gè)C原子和每一個(gè)Si原子分別與周?chē)?個(gè)相鄰的硅原子以共價(jià)鍵相連接，同樣每一個(gè)硅原子也與周?chē)?個(gè)相鄰的Si原子和C原子以共價(jià)鍵相連接。當(dāng)N原子取代C原子進(jìn)入SiC中后，由于N原子只有三價(jià)，只能與3個(gè)Si原子成鍵，而另外1個(gè)Si原子將剩余1個(gè)不能成鍵的價(jià)電子，形成1個(gè)帶負(fù)電的缺陷。由于原子的熱運(yùn)動(dòng)，這個(gè)電子可以在N原子周?chē)?個(gè)Si原子上運(yùn)動(dòng)，從一個(gè)Si原子上躍遷到另一個(gè)Si原子上，在躍遷過(guò)程中要克服一定的勢(shì)壘，但不能脫離這4個(gè)硅原子組成的小區(qū)域，因此，這個(gè)電子也可以稱為“準(zhǔn)自由電子”。在電磁場(chǎng)中，這種“準(zhǔn)自由電子”的位置隨著電磁場(chǎng)的方向而變化，導(dǎo)致電子位移，“準(zhǔn)自由電子”從一個(gè)平衡位置躍遷到另一個(gè)平衡位置，要克服一定的勢(shì)壘，從而運(yùn)動(dòng)滯后于電場(chǎng)，出現(xiàn)強(qiáng)烈的極化弛豫，這種極化弛豫是損耗電磁波能量的主要原因。

研究表明，Si/C/N

，它不僅具有耐高溫、質(zhì)量輕、韌性好、強(qiáng)度大、吸波性能好的優(yōu)點(diǎn)，而且熱穩(wěn)定性好、使用溫度范圍寬（室溫到1000℃均可使用）、用量少、介電性能可調(diào)，還可以有效地減弱紅外輻射信號(hào)。Si/C/N和Si/C/N/O納米吸收劑不僅在厘米波段，而且在毫米波段都有很好的吸收性能